فروشگاه انتشارات علوم رایانه دکتر عین الله جعفرنژادقمی
20% تخفیف !
ویژه ماه مهر !
قیمت و خرید کتاب مدارهای میکروالکترونیک
ارسال رایگان ارسال سریع به سراسر کشور

کتاب مدارهای میکروالکترونیک

اثر عادل سدرا ، ترجمه قدرت اله سپیدنام، از انتشارات علوم رایانه
قیمت : 400,000 تومان
500,000 تومان
افزودن به سبد خرید
پیام به فروشنده !
17,600 تومان
اعتبار هدیه بگیرید !
نظر خود را به اشتراک بگذارید
تضمین اصالت کالا
تخفیف‌های دوره‌ای
ارسال سریع به سراسر کشور
کالاهای مشابه کتاب مدارهای میکروالکترونیک
قیمت و خرید VHDL
312,000 تومان
390,000
مشخصات کتاب مدارهای میکروالکترونیک
انتشارات
انتشارات علوم رایانه
ویراست
6
تعداد صفحه
440 صفحه
سال انتشار
1391
سری چاپ
1
قطع کتاب
وزیری
نوع جلد
شومیز
زبان
فارسی
مناسب برای
تمامی گروه های سنی
شابک
978-600-205-035-9
فهرست مطالب
بخش اول: قطعات و مدارهای پایه فصل اول: سیگنال‌ها و تقویت‌کننده‌ها 1-1. سیگنال‌ها 2-1. طیف فرکانس سیگنال‌ها 3-1. سیگنال‌های آنالوگ و دیجیتال 4-1. تقویت‌کننده‌ها 5-1. مدل‌های مدار برای تقویت‌کننده‌ها 6-1. پاسخ فرکانس تقویت‌کننده‌ها 7-1. خلاصه مسائل فصل اول فصل دوم: تقویت‌کننده‌های عملیاتی (op – amp) 1-2.op-amp های ایده‌آل 2-2. آرایش وارونگری 3-2. آرایش ناوارونگر 4-2. تقویت‌کننده‌های تفاضلی 5-2. انتگرال‌گیرها و مشتق‌گیرها 6-2. عیوب DC 7-2. اثر بهره‌ی حلقه‌ی باز محدود و پهنای باند در عملکرد مدار 8-2. عملکرد سیگنال بزرگ op-amp ها 9-2. خلاصه مسائل فصل دوم فصل سوم: نیمه رساناها 1-3. نیمه‌رساناهای خالص 2-3. نیمه‌رساناهای ناخالص‌شده 3-3. جریان جاری در نیمه‌رساناها 4-3. پیوند pn با پایانه‌های مدار باز (تعادل) 5-3. پیوندpn با اعمال ولتاژ 6-3. آثار خازنی در پیوندpn 7-3. خلاصه مسائل فصل سوم فصل چهارم: دیودها 1-4. دیود ایده‌آل 2-4. مشخصه‌ی پايانه‌هاي ديودهاي پيوندي 3-4. مدل‌سازی مشخصه‌ی مستقیم دیود 4-4. کار در ناحیه‌ی شکست معکوس-دیودهای زنر 5-4. مدارهای یکسوساز 6-4. مدارهاي محدودگر و برش‌گر 7-4. انواع ديودهاي خاص 8-4. خلاصه مسائل فصل چهارم فصل پنجم: ترانزیستورهای اثر میدان MOS (MOSFET) 1-5. ساختار قطعه و عملکرد فیزیکی قطعه 2-5. مشخصه‌های جریان – ولتاژ 3-5. مدارهای MOSFET در DC 4-5. کاربرد MOSFET در طراحی تقویت‌کننده 5-5. عملکرد سیگنال کوچک و مدل‌ها 6-5. آرايش‌هاي تقويت‌كننده‌ی پايه 7-5. باياس‌كردن در مدارهاي تقويت‌كننده‌ی MOS 8-5. تقويت‌كننده‌هاي MOS مدار مجزا 9-5. اثر بدنه و ديگر عناوين 10-5. خلاصه مسائل فصل پنجم فصل ششم: ترانزیستورهای پیوندهای دوقطبی (BJT ها) 1-6. ساختار قطعه و طرز كار فيزيكي 2-6. مشخصه‌هاي جريان- ولتاژ 3-6. مدار‌هاي BJT در DC 4-6. كاربرد BJT در طراحي تقويت‌كننده 5-6. كار سيگنال كوچك و مدل‌ها 6-6. آرايش‌هاي تقويت‌كننده‌ی BJT پايه 7-6. باياس‌كردن در مدار‌هاي تقويت‌كننده‌ی BJT 8-6. تقويت‌كننده‌هاي BJT مدار- مجزا 9-6. تخريب ترانزيستور و آثار حرارتي 10-6. خلاصه مسائل فصل ششم بخش دوم: تقویت کننده‌های مدار مجتمع (IC) فصل هفتم: بلوک‌های ساختاری تقویت کننده‌ی IC 1-7. فلسفه‌ی طراحی IC 2-7. سلول تقویت پایه 3-7. تقويت‌كننده‌ی کاسکود 4-7. باياس‌كردن IC- منابع جريان، آينه‌هاي جريان و مدارهاي راهبر جریان 5-7. مدارهاي آينه - جريان با رفتار اصلاح‌شده 6-7. برخي از جفت ترانزيستورهاي مفيد 7-7. خلاصه پيوست 7-(الف). مقایسه‌ی MOSFET و BJT مصائل فصل هفتم فصل هشتم: تقویت‌کننده‌های تفاضلی و چندطبقه 1-8. زوج تفاضلي MOS 2-8. عملكرد سيگنال كوچك زوج تفاضلي MOS 3-8. زوج تفاضلي BJT 4-8. دیگر مشخصه‌های غیرایده‌آل برای تقویت کننده‌ی تفاضلی 5-8. تقويت‌كننده‌ی تفاضلي با بار فعال 6-8. تقويت‌كننده‌هاي چندطبقه 7-8. خلاصه مسائل فصل هشتم
نظر خود را به اشتراک بگذارید
commentuser
Copyright © 2023 Powered By Olomrayaneh web developer team, All Rights Reserved.
فروشگاه انتشارات علوم رایانه دکتر عین الله جعفرنژادقمی - لوگو